Numéro de produit du fabricant:
TSM170N06CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM170N06CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
Description détaillée:
N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
112030 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949924
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SOUMETTRE
TSM170N06CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM170N06CP ROGDKR
TSM170N06CP ROGCT
TSM170N06CP ROGTR
TSM170N06CPROGDKR
TSM170N06CPROGTR
TSM170N06CP ROGTR-DG
TSM170N06CPROGCT
TSM170N06CP ROGCT-DG
TSM170N06CP ROGDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT6008LFG-13
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
TSM500N03CP ROG
MOSFET N-CH 30V 12.5A TO252
BSS123W RFG
100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO